在選擇與 3.3V 單片機配合使用的外部 N 溝道MOSFET 時,一定要小心。MOSFET 柵極閾值電壓表明了器件完全飽和的能力。對于 3.3V 應用,所選 MOSFET 的額定導通電阻應針對 3V 或更小的柵極驅動電壓。例如,對于具有 3.3V 驅動的100 mA負載,額定漏極電流為250 μA的FET在柵極 - 源極施加 1V 電壓時,不一定能提供滿意的結果。在從 5V 轉換到 3V 技術時,應仔細檢查柵極- 源極閾值和導通電阻特性參數,如圖 1所示。稍微減少柵極驅動電壓,可以顯著減小漏電流。
對于 MOSFET,低閾值器件較為常見,其漏-源電壓額定值低于 30V。漏-源額定電壓大于 30V的 MOSFET,通常具有更高的閾值電壓 (VT)。
如表 1 所示,此 30V N 溝道 MOSFET 開關的閾值電壓是 0.6V。柵極施加 2.8V 的電壓時,此MOSFET 的額定電阻是 35 mΩ,因此,它非常適用于 3.3V 應用。
對于 IRF7201 數據手冊中的規范,柵極閾值電壓最小值規定為 1.0V。這并不意味著器件可以用來在1.0V 柵 - 源電壓時開關電流,因為對于低于 4.5V 的VGS (th),沒有說明規范。對于需要低開關電阻的 3.3V 驅動的應用,不建議使用 IRF7201,但它可以用于 5V 驅動應用。
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